Penerima cahaya nanokavitas kristal fotonik silikon yang dibuat secara fotolitografik dengan dioda p-i-n yang terintegrasi secara lateral.

Dengan perkembangan teknologi, bidang fotonik silikon telah menjadi salah satu kandidatnya. Hal ini karena foton tidak menghasilkan pemanasan Joule. Untuk menjembatani sirkuit listrik dengan sirkuit fotonik, perangkat elektro-optik dan opto-elektronik perlu dikembangkan. Hal ini karena pada panjang gelombang telekomunikasi, silikon bersifat transparan dan pembawa foto tidak dapat dihasilkan. Oleh karena itu, integrasi germanium pada silikon umumnya lebih disukai. Namun, metode ini Namun, metode ini rumit dalam fabrikasi dan sulit untuk diintegrasikan dengan perangkat CMOS lainnya. Saat ini.
Meskipun baru-baru ini deteksi opto-elektronik berdaya rendah oleh perangkat semua-silikon dalam rongga nano PhC Q tinggi telah dilaporkan, namun hal ini telah didemonstrasikan dengan Oleh karena itu, dalam penelitian ini kami mendemonstrasikan fotodeteksi semua silikon menggunakan Q PhC tinggi Penyerapan dua foton digunakan untuk mendeteksi cahaya dan kami mencapai arus gelap yang rendah ( Berkat arus gelap yang rendah, daya optik minimum yang dapat dideteksi adalah -20 dBm. Dengan demonstrasi respons dinamis sub-GHz, ini menunjukkan bahwa photoreceiver dapat digunakan sebagai photoreceiver selektif panjang gelombang. Dengan deteksi noise yang kecil, daya yang dapat dideteksi rendah dan footprint yang kecil (50 μm2) membuat perangkat ini menjadi kandidat yang baik sebagai sistem pemantauan serat yang hemat biaya yang dibutuhkan Dengan deteksi noise yang kecil, daya yang dapat dideteksi rendah dan footprint yang kecil (50 μm2) membuat perangkat ini menjadi kandidat yang baik sebagai sistem pemantauan serat yang hemat biaya yang dibutuhkan.