CLEOPR 2022 스가노 료

Research

CLEO-PR 2022 참가 보고

2022년 7월 31일~8월 5일, 삿포로 컨벤션센터

석사 2년 菅野凌

1. CLEO-PR2022에 대하여

본 회의는 격년으로 개최되는 CLEO의 분과회의 성격의 국제회의로, 2022년은 하이브리드 개최로 환태평양 지역 외에도 인도 등 서아시아의 분들도 오프라인, 온라인 양측에서 볼 수 있었다. 삿포로 개최로 인해 기본적으로 일본인이 많았고, 포스터 세션 등에서는 일본어로 설명해 주는 등, 국제회의치고는 이해하기 쉬운 학회였다.
CLEO와의 차이점으로는 온디맨드가 존재하지 않는다는 점을 단점으로 꼽을 수 있다. 따라서 하이브리드 개최임에도 불구하고 온라인의 장점은 별로 느낄 수 없었다. 그러나 Reception이 없는 대신 음식물은 곳곳에 있었고, 협찬사들의 공간도 입구 부근에 마련되어 있어 본 연구실에서도 도움을 받고 있는 기업들을 몇 군데 볼 수 있었다.

2. 보고자 발표에 대하여

제목: 업컨버젼을 이용한 저비용 광결정 분광계
발표자 : Ryo Sugano
소속:Keio University
발표번호 : CFP8I-01 (8월 5일(금))

업컨버전을 이용하여 통신 파장대를 가시광선으로 변환하는 분광기에 대해 발표했다.
도파관 폭이 점차 좁아지는 차프 구조로 되어 있는 랜덤성이 있는 광결정 도파관을 사용하고 있으며, 입력 파장에 따라 국부광이 새어 나오는 위치가 변화한다. 이 국부광은 매우 파장 의존적이기 때문에 분광이 가능하며, 이 누출된 빛을 파장 변환함으로써 고가의 IR 카메라가 아닌 저렴한 CMOS 카메라로 촬영할 수 있게 되었다. 또한, 본 연구실에서 진행하던 기존의 방법으로는 분광 결과가 나오기까지 시간이 걸린다는 문제점이 있었다. 이를 개선하기 위해 딥러닝을 이용하여 서브초 이하로 단축할 수 있었다.
질문은 모두 알아들을 수 있었으나, 영어로 대답을 하지 못하고 타협적인 대답을 한 것이 아쉽다.

3. 청강한 발표

제목:광학에 대한 동기화를 통한 커 빗의 강력한 위상 잡음 억제
파라메트릭 발진기
발표자 : Jae K. Jang
소속:Columbia University
발표번호 : CTuP6A-02(8월 2일(화))

Lipson & Gaeta의 SiN 상에서 모드 록킹한 Kerr 솔리톤과 3차 파라메트릭 발진을 동기화한 연구이다. 파라메트릭 발진기가 마스터 발진기가 되어 그 우수한 위상잡음 특성을 Kerr컴에 전달함으로써 위상잡음이 극적으로 개선되었으며, OPO의 사이드밴드에 대한 설계 및 계산이 중요한 분산 계산도 수행하였다.
각 공진기에는 열 제어를 위한 히터가 장착되어 있으며, SiN의 막 두께는 730 nm이다.

제목 : 실리콘 질화물 온 SOI 플랫폼의 통합형 실리콘 광검출기
발표자 : Shankar Kumar Selvaraja
소속 : Indian Institute of Science
발표번호 : CThP8F-01(Thu, Aug 4th)

SiN과 Si를 다층방식으로 접합하여 Si측에 PIN 접합이 있는 정류기까지의 동작을 실험으로 확인한 발표로, 850nm 대역에서 가동하고 있으며, 검출기 집적 및 단거리 전송에 사용하는 것을 목표로 하고 있다. 접합부의 손실은 2.3dB/coupler로 다른 다층형 연구에 비해 다소 큰 편이지만, 일련의 실험까지 진행하고 있는 것은 위협적이다.
SiN의 막 두께는 0.4 µm이며, 과거 논문에서는 SiN 측에 링 검출기를 탑재한 연구도 있었기 때문에, 컴을 세우는 것을 1차 목표로 삼고 있지는 않은 것 같지만, WDM도 염두에 두고 있는 것 같은데, 800 nm 대역에서 분산적으로 이 정도의 막 두께가 좋은 것일까?

제목:질화규소 집적 광회로의 광섬유-웨이브가이드 결합 효율 향상
발표자 : Xiaotian Zhu
소속: City University of Hong Kong
발표번호:CTh12D-07(Thu, Aug 4th)

SMF와 SiN을 효율적으로 접합하는 연구이다. 고굴절률의 실리카 유리를 넣어 삽입 손실을 작게 하고 있다. 샘플 차이도 그렇게 크지 않다. 다층이며 공정도 3단계로 매우 많은 점, Gap에 대한 파장 의존성이 큰 것 같고 C-Band 대역에서는 손실이 작지만 향후 이동 대역을 넓히는 데에는 문제가 될 것 같다. 또한 SiN도 막 두께가 1.0 µm인 것으로 보아 향후 컴의 생성을 목표로 하고 있는 것으로 보인다.