OSA (FiO/LS) 2015 大岡 勇太

퇴행성 밴드 에지 공진을 나타내는 주기적 실리콘 리지 도파관
오하이오 주립대학교

광자대역 에지 주변에서 여러 가지 변동을 관찰할 수 있는데, 이를 대역 에지 공진이라고 하는데, 발표 전에는 몰랐습니다. 공명의 기원은 파브리-페로 캐비티인데, 육각형 격자 2차원 광결정에서는 파브리-페로 캐비티를 찾기가 어렵다. 파브리-페로 공동을 찾기가 어렵지만, 일반적인 광대역 에지 연구에서는 1차원 광결정으로 연구하고 있다.

이 그룹은 1차원 광결정 능선 도파관을 제작했는데, 그 결과 다음과 같은 차이점을 발견할 수 있었다. z₀의 위상, 즉 광결정 정공 행의 하부 케이스와 상부 케이스 사이의 기간의 위상을 나타낸다.  z₀ 는 분산 곡선을 변경하고 다른 유형의 밴드 에지 공명을 퇴화시킵니다.  Q이 절차에 의해 퇴화되는 -factor는 다음과 비례합니다. N⁵ 대신 N³ 일반 밴드 에지 공명에서 N 는 광결정 주기의 수입니다.

CMOS 파운드리로 제작되는 광기계 결정체
브라질 캄피나스 대학교

광결정 제작은 싱가포르의 상업용 CMOS 파운드리 업체인 IME에서 제작했고, 벨기에의 IMEC에서 제작했으며, 두 가지 다른 형태의 PhC 나노공동을 설계했다. PhC 도파관에 슬롯이 있는 경우와 슬롯이 없는 경우의 두 가지 유형의 PhC 나노공동을 설계하였으며, 슬롯이 없는 설계가 가장 높은 내적 Q of 9.1×10⁵. 또한 PhC에 포함된 광역학 측정도 슬롯을 통해 측정했다.

랜덤 광자 모드 튜닝 및 이미징
유럽 비선형 분광학 연구소, 이탈리아, 이탈리아

이번 강연은 초청 강연으로, 양자점을 내장한 랜덤 광결정으로 광자선을 관찰할 수 있으며, PL의 주파수를 미세하게 조정하여 부분 산화 광결정으로 산화 위치를 결정하고 부분 산화 광결정으로 PL의 주파수를 미세하게 조정하고, 산화 위치를 SNOM 관찰로 결정한다.

컴퓨팅 시스템용 광 인터커넥트 및 통합의 필요성
IBM 리서치, 스위스

이 연구는 지난 12월 학회지에 소개한 바 있는데, 중요한 점은 1550nm 대역에서 고분자 도파관을 시연하는데 성공했다는 점이다. 780nm 고분자 도파관에 비해 전파 손실이 두 배 이하로 감소하고, 제작 오류에 대한 견고성이 높은 단열 커플러를 보여주었습니다. 제작 오류에 대한 견고성이 높은 단열 커플러를 선보였으며, 이 도파관을 통해 칩과 칩 사이에 빛을 전송하는 광섬유와 기판 회로를 통합할 수 있을 것으로 기대된다.