光刻技术制造的硅光子晶体纳米腔光接收器，横向集成p-i-n二极管。

随着技术的发展，硅光子领域已成为其候选之一。这是因为光子不会产生焦耳热。为了将电路与光子电路连接起来，需要开发电-光和光-电子装置。这是因为在电信波长下，硅是透明的，不能产生光载体。因此，硅上的锗集成通常是可取的。然而，这种方法但是，这种方法在制造上很复杂，而且很难与其他CMOS器件集成。目前。
尽管最近有报道说全硅器件在高Q值PhC纳米腔中进行了低功率的光电子检测，但它已被证明与因此，在这项研究中，我们展示了使用高Q值PhC的全硅光电子检测。使用双光子吸收来检测光线，我们实现了低暗电流(由于低暗电流，最小可检测的光功率为-20 dBm。通过亚GHz动态响应的演示，这表明该光接收器可以作为一个波长选择性的光接收器使用。噪声检测小，可检测功率低，占地面积小（50μm2），这使得该装置成为一个很好的候选者，可以作为一个低成本的光纤监测系统。噪声检测小，可检测功率低，占地面积小（50μm2），使该装置成为所需的成本效益高的光纤监测系统的良好候选者。