CLEO 2020和田佳郎

全面介绍由 III-V 族合金（Al0.2Ga0.8）制成的环形谐振器中孤子的稳定问题。III-V 族合金的非线性折射率（35-260）大于传统环形谐振器的非线性折射率（0.3-2.4），而且不易受到非线性吸收的影响，因此作为产生孤子的新平台备受关注。然而，其 Q 值不足以产生孤子，而且热光学系数较高，等等。随着制造技术的改进，目前最高 Q 值已超过 1.5×106，并已观察到孤子阶跃，但尚未稳定下来。在从理论上验证了热光学系数的降低会导致孤子阶梯长度的增加之后，证实了氮化硅的热光学系数随温度的降低而线性降低，并且在极低的温度下（7~60 K），谐振器的特性（Q 值、Pth、FSR、Dint）没有变化。7~60 K）时谐振器特性（Q 值、Pth、FSR、Dint）没有变化，但实验证实，孤子阶跃长度增加了。这与在 T=0 K 时进行的 LLE 模拟结果十分吻合。随后，对 III-V 族合金（AlGaAs）也进行了类似的实验，结果证实热光学系数在 30 K 以下会急剧下降，从而从实验上证实了在如此低的温度下会出现孤子。