CLEOPR 2022 Ryo Kanno

2022-08-10 2022-09-27 石冈拓人

研究

CLEO-PR 2022年参与报告

2022年7月31日至8月5日，札幌会议中心

Ryo Kanno, 硕士二年级学生

1.关于CLEO-PR2022

2022年的会议是一个混合活动，来自环太平洋地区以及印度和其他西亚国家的与会者在线下和网上都能看到。会议在札幌举行，基本上有很多日本人参加，在海报会议上也是用日语进行解释，等等，对于一个国际会议来说，会议很容易理解。
一个缺点是没有按需服务，这是与CLEO的区别。因此，尽管是一个混合活动，但它并不具备在线的优势。不过，这里不是接待处，而是随处可见的食品和饮料，在入口处附近也有赞助商的位置，还看到了一些也是我们实验室成员的公司。

2. 报告人的介绍

标题：利用向上转换的低成本光子晶体光谱仪
演讲者：菅野亮
工作单位: 庆应大学
演讲编号: CFP8I-01 (8月5日，星期五)

介绍了一种利用上转换技术将电信波段转换为可见光的光谱仪。
采用一种具有啁啾结构的随机光子晶体波导，其中波导宽度逐渐变窄，局部漏光的位置根据输入波长而变化。这种局部的光与波长有很大的关系，因此可以进行光谱分析，通过对泄漏的光进行波长转换，可以使用廉价的CMOS相机而不是昂贵的红外相机来拍摄图像。我们实验室使用的传统方法有一个问题，即需要很长的时间来获得光谱结果。为了改进这一点，我们使用了深度学习，将时间缩短到不到一亚秒。
令人遗憾的是，所有的问题都听到了，但不能用英语回答，导致答案受到影响。

3.参加的演讲。

标题：通过与光学同步，对克尔梳子进行强相位噪声抑制
参量振荡器
演讲者：Jae K. Jang
工作单位：哥伦比亚大学
演讲编号：CTuP6A-02 (星期二，8月2日)

Lipson & Gaeta对与三阶参量振荡器同步的SiN上的锁模克尔孤子的研究。参数振荡器是主振荡器，其出色的相位噪声特性被转移到克尔梳状器上，从而使相位噪声得到极大的改善。OPO的边带的设计和计算很重要，也进行了色散计算。
每个谐振器都配备了一个用于热控制的加热器，其SiN薄膜厚度为730纳米。

标题：在氮化硅平台上集成硅光电探测器。
由Shankar Kumar Selvaraja提出
工作单位：印度科学研究所
演讲编号: CThP8F-01 (8月4日，星期四)

该报告显示，SiN-Si结在850纳米波段运行，目的是将其用于探测器的集成和短距离传输。结点损失为2.3dB/耦合器，比其他多层研究要高一点，但事实上已经进行了一系列的实验，这是一个威胁。
SiN薄膜的厚度为0.4微米，在以前的一篇论文中，一个环形探测器被安装在SiN一侧，因此，似乎主要目标并不是建立一个梳子，但WDM也在考虑之列。800纳米波段在色散方面可能是一个好的厚度。

标题：增强氮化硅集成光电路的光纤到波导的耦合效率。
演讲者：朱晓天
工作单位：香港城市大学
演讲编号：CTh12D-07（8月4日，星期四）。

这是一项关于SMF和SiN的有效结合的研究。通过插入高折射率的硅玻璃来减少插入损耗。样本差异没有那么大。多层和三步法的工艺非常大，而且波长对间隙的依赖性似乎很大，虽然在C波段的损耗很小，但将来可动波段扩大后，很可能会出现问题。SiN薄膜的厚度似乎是1.0微米，人们认为他们的目标是在未来产生梳子。