CLEO-PR 2013 Hiroshi Kudo

Wl1-1 鑽石奈米光子學與量子光學，Marko Loncar。
正如標題所示，這項研究旨在利用鑽石結構進行量子應用，但製造技術簡直令人驚嘆。傳統上使用矽製造的環狀諧振器和一維光子晶體都是使用鑽石實現的，而在矽賽道環狀諧振器中，透過在表面覆蓋 SiO2 作為包層，實現了 Q=1.25×105 的值 (沒有 SiO2 包層，Q=3.0×104)。(without SiO2 cladding, Q=3.0×104)。 他還報導了最近實現的 Q > 106 及其在具有低雜訊 (如熱) 的光頻梳上的應用。

參考資料
... S. Y. Lee 等人，「金剛石中的整合式高品質因數光學諧振器」，奈米快報，DOI: 10.1021/nl3037454 (2013).
... M. J. Burek 等人，「單晶金剛石中的獨立機械與光子奈米結構」，《奈米快訊》，第 12 卷，6084 (2012)。12, 6084 (2012).
... MI1-1 Hybrid III-V/SOI Nanophotonics: Lasers, Switches and Memories, F. Raineri et al., SOI (Silicon on Insulator)，顧名思義就是在矽中嵌入一層氧化物薄膜，這項技術是由 IBM 所開發，對於 LSI 的高速通訊與低功耗貢獻良多。在這篇文章中，我們報告了在 SOI 波導基板上嵌入 InGaAsP/InGaSa 量子阱的 InP 基 1D 光子晶體在雷射和記憶體操作上的實驗應用，其發射光的波長為 1.55 um，III-V 族半導體與 SOI 的結合已證實記憶體操作的焦耳數可達 1 fJ，且可達 2 秒以上。秒或更長的時間。

參考資料
Y. Haliouaet al., “Hybrid III-V semiconductor/silicon nanolasers,” Opt.

... 具有超低閾值的 Wl4-1 全色等離子納米光子，Yu-Jung Lu 等人。,
一般而言，光與等離子的耦合在三維空間有很大的限制損失問題。本研究使用的磊晶方法可大幅降低此損失，實現高效率的等離子雷射振盪。該裝置結構由放置在矽基板上的銀基板上的 InGaN 和 GaN 棒奈米組成，兩者之間有一層薄矽層，使等離子在矽層中得到高效率的限制。藉由控制奈米棒的形狀，雷射波長可從紅光控制到藍光，並確認可使用低功率 CW 光 (藍光小於 10 W/cm2)運作。
參考資料
. 98, 233101, 2011.
-- Y.-J. Lu 等人，「使用外延生長銀膜的等離子納米激光器」，《科學》，337，450-453，2012。.
... Wl4-2 Electically Pumped Metallo-Dielectric Pedestal Nanolasers, Qing Gu et al.,

... Wl4-2 Electically Pumped Metallo-Dielectric Pedestal Nanolasers, Qing Gu et al.,
透過兩步式 InP 蝕刻製程，成功製造出具有兩個圓盤結構的奈米空腔。在此，圓盤部分是由 InGaAs 製成，目的是用於雷射應用。透過改變上下圓盤的直徑，以數學方法獲得了 Q 值和雷射振盪閾值，並研究了其形狀。此外，還使用製造的諧振器確認了雷射振盪操作。

... Wl4-3 水平等離子空氣槽環形諧振器的製作與應用，Jaehak Lee 等人。,
Q 值在分析與實驗上仍有數十個。演講的後半部分是應用報告，顯示出抗體附著在諧振器表面時，移動量會增加的趨勢，應用在生物感應上會很有用。

... Wl4-4 主動等離子體元件，Kenzo Yamaguchi 等人。,
Q 值在分析與實驗上仍有數十個。演講的後半部分是應用報告，顯示出抗體附著在諧振器表面時，移動量會增加的趨勢，應用在生物感應上會很有用。

... Wl4-4 主動等離子體元件，Kenzo Yamaguchi 等人。,
這是一份關於應用外部電場對奈米級光柵結構進行機械控制的數值分析報告。光柵結構周圍所產生的表面等離子體的共振頻率會隨著結構的改變而改變。利用離子束製造裝置也已實現，在報告中展示了將連接線連接至裝置並應用外部電場使結構發生變化的動態影像。

... Wl4-6 金橢圓奈米陣列的等離子特性與生物傳感od，楊佳等。,
本報告以環狀結構的長度、寬度 (R) 為變數，針對各偏振光的等離子共振強度及其波長偏移進行數值分析。報告內容透過對圓環結構和圓孔結構進行相同的分析，讓我們更了解圓環的特性。結論是水平與垂直比越緊密越好，並考慮應用於生物感應。