使用 CMOS 製程的光子水晶諧振器。

研究

CMOS 製程光子水晶諧振器達到全球最高 Q 值

邁向光子水晶技術與矽光子學的融合。

人們已開始嘗試透過處理以前以電子方式進行訊號處理,但現在卻以光學形式處理的資訊來降低耗電量。特別是矽光子學的研究,其目的在於以光取代晶片中的接線,以降低系統的能源消耗。目前矽光子學的研究重點在於開發晶片內光線傳輸的相關技術,但未來光線也可能在訊號處理上發揮作用,以達到最終節能的目的。為此,被稱為光子水晶諧振器的元件被認為是不可或缺的,這些元件可以強力限制光。

基於此,本研究的目的是將光子晶體整合為矽光電的新元件。由於兩個缺點,這種整合到目前為止尚未實現:第一,製造方法的差異。矽光子元件越來越多地使用 CMOS 製程中的光刻法製造,目的是為了未來與 CMOS 元件的整合與整合。相反,光子晶體則是以電子束光刻法製造。矽光電子元件是由 SiO2(二氧化矽),而傳統光子晶體則需要交聯結構。因此,傳統裝置很難整合在同一矽晶片上。

光子晶體原本被認為無法以主流 CMOS 製程光刻法的精確度製造,但透過採用稱為寬度變化型的設計(如圖 1(a)所示),這個問題得以克服。事實上,在稱為 L3 的諧振器中,鄰近的孔會黏在一起,因此無法精確製造元件。

圖 1:(a) 本研究中製作的裝置的電子顯微圖。(b) 透過光刻技術製造的傳統結構 (L3 諧振器)。

圖 2 顯示本研究製造的元件的光學穿透特性。從透射光譜的寬度來看,Q 值為 2.2 x 105得到了光子水晶諧振器元件的數值。這個數值是全球以光刻技術製造的光子晶體諧振器元件的最高值。Q值;SiO2該裝置從頂部和底部被一個全光開關覆蓋,從而提高了裝置的壽命。該裝置的全光開關操作也已實現,實驗證明該裝置還可用於光訊號處理。

即將推出

圖 2(a) 諧振器的穿透光譜特性。

Q價值光子晶體可透過光刻技術製造,與矽光子元件一樣,SiO2光子晶体谐振器可以在硅光子基板上制造,这表明光子晶体谐振器可以成为硅光子的一个基本要素。