Fotorreceptor de nanocavidad de cristal fotónico de silicio fabricado fotolitográficamente con un diodo p-i-n integrado lateralmente.

Con el desarrollo de la tecnología, los campos fotónicos de silicio se han convertido en uno de sus candidatos. Esto se debe a que los fotones no producen calentamiento Joule. Para unir los circuitos eléctricos con los fotónicos, hay que desarrollar dispositivos electroópticos y optoelectrónicos. Esto se debe a que en la longitud de onda de las telecomunicaciones, el silicio es transparente y no se pueden generar fotoportadores, Por ello, se ha preferido la integración del germanio en el silicio. Sin embargo, este método Sin embargo, este método es complejo en su fabricación y difícil de integrar con otros dispositivos CMOS. Actual.
Aunque recientemente se ha informado de la detección optoelectrónica de baja potencia mediante dispositivos totalmente de silicio en la nanocavidad de alto Q PhC, se ha demostrado con Por lo tanto, en este estudio demostramos la fotodetección totalmente de silicio utilizando PhC de alto Q Se utiliza la absorción de dos fotones para detectar la luz y logramos una baja corriente oscura (Gracias a la baja corriente oscura, la potencia óptica mínima detectable es de -20 dBm. Mediante la demostración de la respuesta dinámica por debajo de los GHz, se demuestra que el fotorreceptor puede utilizarse como fotorreceptor selectivo de longitud de onda. Gracias a la pequeña detección de ruido, la baja potencia detectable y el pequeño tamaño (50 µm2), este dispositivo es un buen candidato como sistema de supervisión de fibra rentable que se necesita Con la pequeña detección de ruido, la baja potencia detectable y la pequeña huella (50 μm2) hacen de este dispositivo un buen candidato como sistema de monitorización de fibra rentable que se necesita.