Los peines ópticos de frecuencia con componentes de frecuencia igualmente espaciados son la base de la moderna metrología de frecuencia, la espectroscopia de precisión, la espectroscopia astronómica, la óptica ultrarrápida y la ingeniería de la información cuántica. Los peines de frecuencia a escala de chip que explotan las no linealidades como los efectos Kerr y Raman en microcavidades monolíticas con valores Q ultra elevados han progresado en los últimos años con la observación de solitones resonadores temporales. Sin embargo, generalmente es difícil sintonizar la dispersión de la longitud de onda en la cavidad del láser, que determina la formación del peine óptico, mediante un campo eléctrico, tanto en las microcavidades como en los resonadores de fibra. Este control dinámico eléctrico vincula los peines de frecuencias ópticas con la optoelectrónica y permite la salida de varios peines ópticos en un único resonador con una sintonización rápida y cómoda. Debido a la extraordinaria sintonía Fermi-Dirac y a la movilidad ultrarrápida de los portadores, el grafeno tiene una compleja dispersión óptica determinada por su conductividad óptica, que puede ser sintonizada por el voltaje de puerta. Aquí introducimos la conductividad óptica sintonizable en un resonador micro-óptico de nitruro de silicio y mostramos la sintonización intra-resonador de un peine de frecuencias óptico basado en grafeno mediante la variación de la dispersión de longitud de onda de segundo orden y de orden superior.