Résonateurs à cristaux photoniques utilisant des procédés CMOS.
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La valeur Q la plus élevée au monde obtenue dans des résonateurs à cristaux photoniques traités par CMOS
Vers la fusion de la technologie des cristaux photoniques et de la photonique du silicium.
Des tentatives ont été entreprises pour réduire la consommation d'énergie en traitant des informations qui étaient auparavant traitées électriquement sous forme de signaux, mais qui le sont désormais sous forme de lumière. En particulier, la recherche sur la photonique du silicium, qui vise à réduire la consommation d'énergie des systèmes en remplaçant le câblage des puces par de la lumière, a été active. La recherche actuelle sur la photonique au silicium se concentre sur le développement de technologies liées à la transmission de la lumière à l'intérieur de la puce, mais à l'avenir, la lumière pourrait également jouer un rôle dans le traitement des signaux afin de réaliser des économies d'énergie ultimes. À cette fin, des éléments appelés résonateurs à cristaux photoniques, qui peuvent fortement confiner la lumière, sont considérés comme essentiels.
Sur cette base, l'objectif de cette recherche était d'incorporer les cristaux photoniques comme nouvel élément de la photonique du silicium. Cette intégration n'a pas été réalisée jusqu'à présent en raison de deux inconvénients : tout d'abord, la différence entre les méthodes de fabrication. Les éléments photoniques en silicium sont de plus en plus souvent fabriqués par photolithographie dans le cadre du processus CMOS, en vue d'une intégration future et d'une intégration avec des éléments CMOS. En revanche, les cristaux photoniques sont fabriqués par lithographie par faisceau d'électrons. Les éléments photoniques en silicium sont constitués de SiO2(dioxyde de silicium), alors que les cristaux photoniques classiques nécessitent une structure réticulée. Les dispositifs conventionnels étaient donc difficiles à intégrer sur une même puce de silicium.
On pensait que les cristaux photoniques étaient impossibles à fabriquer avec la précision de la photolithographie, le principal procédé CMOS, mais ce problème a été surmonté en adoptant une conception connue sous le nom de type variation de largeur, illustrée à la figure 1(a). En fait, dans le résonateur appelé L3, les trous voisins se collent les uns aux autres, ce qui rend impossible la fabrication précise de l'élément.
Fig. 1 : (a) Micrographie électronique du dispositif fabriqué dans cette étude. (b) Structure conventionnelle (résonateur L3) fabriquée par photolithographie.
La figure 2 montre les caractéristiques de transmission optique du dispositif fabriqué dans cette étude. D'après la largeur du spectre de transmission, une valeur Q de 2,2 x 105La valeur du dispositif de résonateur à cristaux photoniques a été obtenue. Cette valeur est la plus élevée au monde pour des éléments de résonateurs à cristaux photoniques fabriqués par photolithographie.QSiO2L'appareil est recouvert par le haut et le bas d'un commutateur entièrement optique, ce qui améliore la durée de vie de l'appareil. Un fonctionnement de commutation entièrement optique du dispositif a également été réalisé et il a été démontré expérimentalement que le dispositif peut également être utilisé pour le traitement des signaux optiques.
Fig. 2(a) Caractéristiques spectrales de transmission du résonateur.
montant d'argentQLes cristaux photoniques de valeur peuvent être fabriqués par photolithographie et, comme pour les éléments photoniques en silicium, le SiO2Les résonateurs à cristaux photoniques ont pu être fabriqués sur le substrat photonique en silicium, ce qui montre que les résonateurs à cristaux photoniques peuvent être un élément de la photonique en silicium.
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