광 자동차 쌍안정 메모리 구현에 필요한 세부 조건 분석
Research
광 자동차 쌍안정 메모리 구현에 필요한 세부 조건 분석
광카 효과에 의한 전광메모리 구현을 위해!
이이전 연구 성과에 의해, 광카 효과를 이용한 광메모리를 실현하기 위해서는 '테이퍼 광섬유와의 강한 결합' 및 '2개의 테이퍼 광섬유를 이용한 애드드롭형 구성'이라는 두 가지 조건이 필요하다는 것이 밝혀졌지만, 이러한 정량적이고 상세한 조건에 대해서는 여전히 불명확한 상태였다. 따라서 본 연구에서는 광메모리 구현에 필요한 정량적 조건 및 그 때 얻을 수 있는 메모리 성능에 대해 상세히 검토하였습니다.
광카 효과를 이용하기 위해서는 흡수계수가 낮고 열이 잘 발생하지 않는 재료로 제작된 공진기를 사용해야 한다. 따라서 본 연구에서는 흡수계수가 낮은 것으로 알려진 Si3N4와 실리카를 이용한 공진기인 Si3N4 마이크로 링(Fig. 1(a))과 실리카트로이드 공진기(Fig. 1(b))를 분석 대상으로 사용하였다. 해석에는 이전 연구와 마찬가지로 결합 모드 이론과 유한요소법을 조합한 수치해석을 이용하였습니다.
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그림 1 (a) 질화규소 마이크로링과 (b) 실리카 토로이드 마이크로링의 개략적인 그림. 단면 이미지는 강도 분포. 컬러 맵의 흰색 실선은 재료의 경계를 나타내며, 컬러 맵의 흰색 실선은 재료의 경계를 나타낸다. a boundary of materials.
Figure 2(a)-(b)에 분석 결과를 나타내었다. 가로축은 공진기의 광자 수명(도파관과의 결합 강도에 따라 달라지는 양), 세로축은 공진기의 공진 파장과 입력광 파장과의 편차를 나타낸다. 컬러맵은 가로축 및 세로축에 해당하는 조건을 이용했을 때 광메모리를 구동하는 데 필요한 구동 전력을 나타낸다. 또한, 회색 영역은 축적된 열의 영향으로 메모리 동작이 불가능한 지점을 나타낸다. 이 그림에서 메모리 구동에 필요한 조건과 그 때 메모리가 필요로 하는 구동 전력을 알 수 있습니다. 그림 3은 해석을 통해 얻은 메모리 구동 속도와 메모리 구동 전력의 관계를 나타낸 것으로, Si3N4에서는 어떤 조건을 사용하더라도 1.8W 이하의 전력으로는 구동이 불가능합니다. 할 수 없는 반면, 실리카에서는 흡수계수가 Si3N4보다 낮기 때문에 1.7 mW의 전력으로 구동이 가능하다는 것을 알 수 있었다. 본 연구를 통해 최근 비선형 광학 소자의 플랫폼으로 주목받고 있는 Si3N4가 광 자동차 메모리로 사용하기에는 부적합할 수 있음을 시사하는 한편, 실리카 플랫폼의 장점을 확인할 수 있었다. 또한, 메모리 구동에 필요한 정량적 조건 및 그 성능을 확인하였다.
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그림 2 다양한 부하 광자 수명 시간(τload)과 디튜닝 값(δ)에 따른 필수 입력 구동 전력. (a) Si3N4 마이크로링과 (b) 실리카 토로이드 마이크로캐비티. "불가능한" 영역에서는 Kerr 쌍안정 메모리를 달성할 수 없다( 회색으로 표시). 위쪽 축은 소자의 응답 속도를 나타낸다.
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그림 3 필요한 입력 구동 전력과 로드된 광자 수명을 통한 응답 속도 사이의 트레이드 오프. 빨간색과 파란색 플롯은 Si3N4 마이크로링 와 실리카 토로이드 마이크로캐비티를 나타낸다.
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