CLEOPR 2022 Ryo Kanno

2022-08-10 2022-09-27 Takasumi TANABE

研究

CLEO-PR 2022 參與報告

2022 年 7 月 31 日至 8 月 5 日，札幌會議中心

Ryo Kanno，碩士二年級學生

1. 關於 CLEO-PR2022

2022 年的會議是一個混合型的活動，線下和線上都可以看到來自環太平洋地區以及印度和其他西亞國家的與會者。會議在札幌舉行，基本上有許多日本人參與，在海報發表會等場合也有日文的解說，對於國際性的會議來說，很容易理解。
一個缺點是沒有隨選，這是與 CLEO 的不同之處。因此，儘管是混合活動，卻沒有線上的優勢。不過，與其說是 Reception，倒不如說是到處都有吃的喝的，入口附近也有贊助商的位置，還看到一些公司也是我們實驗室的會員。

2. 報告人的介紹

標題：使用上轉換的低成本光子水晶光譜儀
主講人：Ryo Sugano
工作單位：慶應義塾大學
簡報編號: CFP8I-01 (8月5日，星期五)

介紹了一種利用上轉換功能將電訊波段轉換為可見光的光譜儀。
使用波導寬度逐漸收窄的啁啾結構隨機光子晶體波導，局部洩漏光的位置會隨著輸入波長而改變。這種局部光與波長的關係非常密切，因此可以進行光譜分析，透過對洩漏的光進行波長轉換，可以使用廉價的 CMOS 攝影機取代昂貴的紅外攝影機拍攝影像。我們實驗室使用的傳統方法有一個問題，就是需要很長的時間才能獲得光譜結果。為了改善這個問題，我們使用深度學習將時間縮短至亞秒以下。
令人遺憾的是，所有的問題都聽到了，但卻無法以英文作答，導致答案大打折扣。

3. 出席的簡報會。

標題: 透過與光學同步的 Kerr 梳子的強相位雜訊抑制
參數振盪器
Presented by Jae K. Jang
工作單位：哥倫比亞大學
簡報編號 CTuP6A-02 (8月2日，星期二)

Lipson & Gaeta 在 SiN 上對與三階參數振盪器同步的模式鎖定 Kerr 孤子進行的研究。參數振盪器是主振盪器，其優異的相位雜訊特性轉移到 Kerr 梳子上，使相位雜訊大幅改善。設計和計算 OPO 的邊帶是很重要的，也進行了色散計算。
每個諧振器都配備一個加熱器來控制溫度，SiN 薄膜厚度為 730 nm。

標題: 在 Silicon Nitride-on-SOI 平台上整合矽光電感測器。
由 Shankar Kumar Selvaraja 呈現
工作單位: 印度科學學院
簡報編號: CThP8F-01 (8月4日, 星期四)

簡報顯示，SiN-Si 結在 850 奈米波段運作，目的是將其用於偵測器整合與短距離傳輸。結點損耗為 2.3 dB/耦合器，雖然比其他多層研究略高，但已進行一系列實驗的事實就是一種威脅。
SiN 薄膜的厚度為 0.4 µm，在之前的一篇論文中，SiN 側安裝了一個環狀偵測器，如此看來，其主要目的不在於設置梳子，但 WDM 也在考慮之列。就色散而言，800 nm 波段可能是一個不錯的厚度。

標題: 氮化矽集成光電路的光纖-波導耦合效率增強。
主講人：Xiaotian Zhu
工作單位: 香港城市大學
簡報編號 CTh12D-07 (Thu, Aug 4th)。

這是一項有關 SMF 和 SiN 有效接合的研究。透過插入高折射率的矽玻璃可降低插入損耗。樣品差異不大。多層、三步的製程，對於gap的波長依賴似乎很大，雖然在C波段的損耗很小，但將來可動波段擴大時很可能會有問題。SiN 薄膜的厚度似乎是 1.0 µm，想必他們的目標是在未來產生梳狀。