CLEO 2023 Riku Imamura

Investigación

CLEOPR 2023 Informe de participación

Del 5 al 10 de mayo, Convention Center, San José, EE.UU.

Riku Imamura, estudiante de tercer año de doctorado

1. visión general.

CLEO (Conferencia sobre
CLEO es un centro puntero en ingeniería óptica, comunicaciones ópticas y óptica.
Presentación de investigaciones en una amplia gama de campos relacionados con la luz, como la electrónica, la fotoenergía y la fotomedicina.
La exposición se celebra al mismo tiempo que la feria comercial. Otra de sus características es que se celebra al mismo tiempo que una exposición de varias empresas.

2. la presentación del ponente

Título: Bloqueo pasivo sin absorbedor saturable mediante microrresonador acoplado

Autores: R. Imamura 1 , S. Fujii 2 , A. Nakashima 1 y T. Tanabe 1
Afiliaciones: 1. Departamento de Electrónica e Ingeniería Eléctrica, Facultad de Ciencias
y Tecnología, Universidad de Keio, 2. Departamento de Física, Facultad de
Ciencia y Tecnología, Universidad de Keio.

Nº de presentación: JW2A.95

El bloqueo de modo, que permite obtener pulsos ultracortos, suele implicar absorbedores saturables o activos
Se requiere modulación. En este estudio, como método de bloqueo de modo completamente nuevo, un resonador microóptico de acoplamiento
se propone un método de bloqueo de modo que no requiere un absorbedor saturable.
El público era tan numeroso que las explicaciones y preguntas continuaron desde el principio hasta el final de la sesión.
Las presentaciones tuvieron una buena acogida. En cuanto a las preguntas, siguió habiendo muchas de investigadores en microinformática.
A continuación se exponen algunas de las principales cuestiones que habrá que abordar en el futuro: la experimentación propiamente dicha, la plataforma del resonador, la dispersión, etc.
El debate fue muy positivo.

3. presentaciones a las que se asiste.

Título: Láser de conmutación Q pasiva de alta energía compatible con CMOS
Autor (es): N. Singh, et. al.
Afiliación: Center for Free-Electron Laser Science CFEL, Deutsches Elektronen-.

Sincrotrón DESY, Alemania

Nº de presentación: STu4P.2

Presentación de un láser de conmutación Q pasiva del grupo de Franz X Kärtner. La fundición fabrica la guía de onda de SiN y pulveriza la parte de ganancia (Al 2 O 3 dopado con iones de Tm). Como absorbedor saturable se utiliza una estructura de espejo de bucle de tipo guía de onda que utiliza interferencia no lineal. Como resultado, se consiguió el funcionamiento de un conmutador Q en la banda de 1880 nm. Enfrente de mi póster se hizo una presentación del mismo laboratorio, así que pude hacer preguntas sobre el contenido relativamente detallado.
 Alrededor de 2010, este grupo de investigación había desarrollado un láser de bloqueo de modo pasivo en chip, pero llegó a la conclusión de que la falta de ganancia en la estructura de guía de ondas dificultaba la mejora de la tasa de repetición. Por lo tanto, no pareció haber nuevos informes durante varios años. Sin embargo, la aparición de fundiciones (especialmente Ligentec) que pueden fabricar guías de onda de SiN de alta calidad ha resuelto el problema de los dispositivos. Así pues, cada vez es relativamente fácil hacer realidad la idea, y no sólo para los microcomponentes, sino también para los circuitos integrados.
Fue muy interesante observar que se están produciendo nuevas entradas/reentradas en el campo de la fotónica en general.

Título: Un láser de erbio con ancho de banda de hercios basado en circuitos fotónicos integrados
Autor (es): Y. Liu, et. al.
Afiliación: EPFL
Presentación nº: Stu4P.1

Uno de los informes de seguimiento sobre las guías de onda de SiN dopadas con erbio es obra de T. J. Kippenberg, de la EPFL. El artículo publicado en Science el año pasado informaba del desarrollo de un láser de ancho de línea estrecho a 50 Hz en la banda de longitud de onda de las telecomunicaciones (bombeo a 1480 nm) mediante su uso como medio láser, que en el artículo se utilizaba como amplificador en chip. El punto clave es que un filtro Vernier está formado por dos resonadores anulares, lo que permite un ancho de línea estrecho y un barrido de longitud de onda en el rango de 1550 nm a 1590 nm. La densidad de la guía de onda de SiN dopada con erbio utilizada (1,5×10 20 /cm 3 ) y su factor de amplificación (30 dBm) son comparables a los de los EDFA ordinarios, lo que sugiere que ya es posible integrar fibras dopadas con erbio.

4. Por último.

 Como era la primera conferencia internacional fuera de Japón desde COVID-19, todo estaba fresco en mi mente, desde la comida hasta el idioma que oía a mi alrededor y las señales de tráfico. Lo más impresionante de la conferencia fue el gran número de sesiones sobre fotónica integrada y, como símbolo de ello, se hizo mucho hincapié en Ligentec, la fundición de SiN, como patrocinador de la conferencia. Como se mencionó en las sesiones a las que asistí, fue para mí una oportunidad de experimentar de primera mano que el elevado umbral para la fabricación de dispositivos en el campo de la fotónica integrada se está convirtiendo en cosa del pasado, y que se espera que en el futuro aumenten los nuevos entrantes o reentrantes.
 San José, donde se celebró la conferencia, está cerca de Silicon Valley, y la sede y el alojamiento estaban rodeados de edificios de grandes corporaciones como Google y Apple, lo que me hizo sentir como si hubiera llegado a otro mundo. Las copiosas comidas al estilo americano fueron en general de mi agrado, y combinado con el tiempo fresco y seco, resultó una agradable actividad fuera del campus.