Fotoricevitore a nanocavità di cristallo fotonico di silicio fabbricato fotolitograficamente con diodo p-i-n integrato lateralmente.

Con lo sviluppo della tecnologia, i campi fotonici in silicio sono diventati uno dei candidati. Questo perché i fotoni non producono riscaldamento Joule. Per collegare i circuiti elettrici con quelli fotonici, è necessario sviluppare dispositivi elettro-ottici e opto-elettronici. Questo perché alla lunghezza d'onda delle telecomunicazioni, il silicio è trasparente e non è possibile generare fotoportatori. Per questo motivo, si è preferito integrare il germanio sul silicio. Tuttavia, questo metodo Tuttavia, questo metodo è complesso da realizzare e difficile da integrare con altri dispositivi CMOS. Corrente.
Sebbene di recente sia stata segnalata una rilevazione optoelettronica a bassa potenza da parte di dispositivi interamente in silicio in nanocavità PhC ad alto Q, è stata dimostrata con Pertanto, in questo studio abbiamo dimostrato la fotorivelazione su tutto il silicio utilizzando una nanocavità PhC ad alto Q. L'assorbimento a due fotoni è utilizzato per rilevare la luce e abbiamo ottenuto una bassa corrente di buio ( Grazie alla bassa corrente di buio, la potenza ottica minima rilevabile è di -20 dBm. La dimostrazione della risposta dinamica sub-GHz dimostra che il fotoricevitore può essere utilizzato come fotoricevitore selettivo della lunghezza d'onda. Il piccolo rumore di rilevamento, la bassa potenza rilevabile e l'ingombro ridotto (50 μm2) fanno di questo dispositivo un buon candidato come sistema di monitoraggio della fibra a basso costo, che è necessario Il piccolo rumore di rilevamento, la bassa potenza rilevabile e l'ingombro ridotto (50 μm2) fanno di questo dispositivo un buon candidato come sistema di monitoraggio delle fibre a costi contenuti.