CLEO 2023 Riku Imamura
Forschung
CLEOPR 2023 Beteiligungsbericht
5. Mai - 10. Mai, Kongresszentrum, San Jose, USA
Riku Imamura, Doktorand im dritten Jahr
1. Überblick.
CLEO (Konferenz über
Das CLEO ist ein führendes Zentrum für optische Technik, optische Kommunikation und Optik und ist ein Exzellenzzentrum auf dem Gebiet der optischen Technik, optischen Kommunikation und Optik.
Präsentation von Forschungsarbeiten in einem breiten Spektrum von Bereichen, die mit Licht zu tun haben, wie Elektronik, Photoenergie und Photomedizin.
Die Ausstellung findet zeitgleich mit der Messe statt. Eine weitere Besonderheit der Ausstellung ist, dass sie gleichzeitig mit einer Ausstellung mehrerer Unternehmen stattfindet.
2. die Vorstellung des Berichterstatters
Titel: Passive Modenverriegelung ohne sättigbaren Absorber unter Verwendung eines gekoppelten Mikroresonators
Autoren: R. Imamura 1 , S. Fujii 2 , A. Nakashima 1 , und T. Tanabe 1
Zugehörigkeiten: 1. der Fachbereich Elektronik und Elektrotechnik, Fakultät für Naturwissenschaften
und Technologie, Keio Universität, 2. Abteilung für Physik, Fakultät für
Wissenschaft und Technologie, Keio Universität.
Präsentation Nr.: JW2A.95
Die Modenkopplung, mit der ultrakurze Pulse erzielt werden können, erfolgt in der Regel mit sättigbaren Absorbern oder aktiven
Modulation erforderlich ist. In dieser Studie wird als völlig neue Methode der Modenkopplung eine mikrooptische Resonatorkopplung
System wird eine Modenkopplungsmethode vorgeschlagen, die keinen sättigbaren Absorber erfordert.
Das Publikum war so zahlreich, dass die Erklärungen und Fragen von Anfang bis Ende der Sitzung andauerten.
Die Vorträge wurden gut aufgenommen. Was die Fragen betrifft, so gab es noch viele Fragen von Mikrocomputerforschern.
Nachfolgend sind einige der wichtigsten Themen aufgeführt, die in Zukunft angegangen werden müssen: die eigentlichen Experimente, die Resonatorplattform, die Dispersion usw.
Die Diskussion verlief sehr positiv.
3. besuchte Vorträge.
Titel: CMOS-kompatibler passiv gütegeschalteter Hochenergie-Laser
Autor(en): N. Singh, et. al.
Zugehörigkeit: Zentrum für Freie-Elektronen-Laserforschung CFEL, Deutsches Elektronen-.
Synchrotron DESY, Deutschland
Vorlage Nr.: STu4P.2
Präsentation eines passiv gütegeschalteten Lasers durch die Gruppe von Franz X. Kärtner. Die Gießerei stellt den SiN-Wellenleiter her und sputtert den Verstärkungsteil (Tm-Ionen-dotiertes Al 2 O 3 ) selbst. Als sättigbarer Absorber wird eine wellenleiterartige Schleifenspiegelstruktur mit nichtlinearer Interferenz verwendet. Es wurde berichtet, dass dadurch ein Güteschalterbetrieb im Bereich von 1880 nm erreicht wurde. Eine Posterpräsentation desselben Labors fand gegenüber meinem Poster statt, so dass ich Fragen zu den relativ detaillierten Inhalten stellen konnte.
Um 2010 hatte diese Forschungsgruppe einen passiv modengekoppelten On-Chip-Laser entwickelt, kam aber zu dem Schluss, dass die fehlende Verstärkung in der Wellenleiterstruktur eine Verbesserung der Wiederholrate erschwerte. Daher schien es mehrere Jahre lang keine neuen Berichte zu geben. Mit dem Aufkommen von Gießereien (insbesondere Ligentec), die hochwertige SiN-Wellenleiter herstellen können, wurde das Problem jedoch gelöst. So wird es relativ einfach, die Idee zu verwirklichen, und zwar nicht nur für Mikrocoms, sondern auch für integrierte Schaltungen.
Es war sehr interessant festzustellen, dass es im Bereich der Photonik im Allgemeinen zu Neu- und Wiedereinsteigern kommt.
Titel: Ein Erbium-Laser mit Hertz-Breite auf der Grundlage integrierter photonischer Schaltungen
Autor(en): Y. Liu, et. al.
Zugehörigkeit: EPFL
Vorlage Nr.: Stu4P.1
Einer der Folgeberichte über Erbium-dotierte SiN-Wellenleiter von T. J. Kippenberg von der EPFL. Die im letzten Jahr in Science veröffentlichte Arbeit berichtete über die Entwicklung eines Lasers mit schmaler Linienbreite bei 50 Hz im Wellenlängenbereich der Telekommunikation (1480 nm Pumpen), indem es als Lasermedium verwendet wurde, das in der Arbeit als On-Chip-Verstärker eingesetzt wurde. Der springende Punkt ist, dass ein Vernier-Filter aus zwei Ringresonatoren gebildet wird, der eine schmale Linienbreite und einen Wellenlängen-Sweep im Bereich von 1550 nm bis 1590 nm ermöglicht. Die Dichte des verwendeten erbiumdotierten SiN-Wellenleiters (1,5×10 20 /cm 3 ) und sein Verstärkungsfaktor (30 dBm) sind mit denen gewöhnlicher EDFAs vergleichbar, was darauf schließen lässt, dass erbiumdotierte Fasern jetzt integriert werden können.
4. schließlich.
Da dies die erste internationale Konferenz außerhalb Japans seit der COVID-19 war, war alles noch frisch in meinem Gedächtnis, vom Essen über die Sprache, die ich um mich herum hörte, bis hin zu den Straßenschildern. Das Beeindruckendste an der Konferenz war die große Anzahl von Sitzungen zum Thema integrierte Photonik, und wie um dies zu symbolisieren, wurde Ligentec, die SiN-Gießerei, als Sponsor der Konferenz stark hervorgehoben. Wie in den von mir besuchten Sitzungen erwähnt, war dies für mich eine Gelegenheit, aus erster Hand zu erfahren, dass die hohe Schwelle für die Herstellung von Bauelementen im Bereich der integrierten Photonik der Vergangenheit angehört und dass in Zukunft mit einer Zunahme von Neueinsteigern oder Wiedereinsteigern zu rechnen ist.
San Jose, wo die Konferenz stattfand, liegt in der Nähe des Silicon Valley, und der Veranstaltungsort und die Unterkunft waren von den Gebäuden großer Unternehmen wie Google und Apple umgeben, so dass ich das Gefühl hatte, in einer anderen Welt angekommen zu sein. Die großen Mahlzeiten nach amerikanischer Art waren im Allgemeinen nach meinem Geschmack, und in Verbindung mit dem kühlen, trockenen Wetter war es eine angenehme Aktivität außerhalb des Campus.
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